|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 生长氮化镓晶体的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101086963B, 申请日期: 2010-04-21, 公开日期: 2010-04-21
发明人: 冈久拓司; 元木健作; 上松康二; 中畑成二; 弘田龙; 井尻英幸; 笠井仁; 藤田俊介; 佐藤史隆; 松冈彻
 Adobe PDF(1787Kb) |  收藏 | 浏览/下载：68/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101568671A, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 2009-10-28
发明人: 中畑成二; 元木健作
Adobe PDF(1750Kb) | 收藏 | 浏览/下载：49/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100435268C, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2008-11-19
发明人: 元木健作; 弘田龙; 冈久拓司; 中畑成二
Adobe PDF(4252Kb) | 收藏 | 浏览/下载：58/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007189221A, 申请日期: 2007-07-26, 公开日期: 2007-07-26
发明人: 伊藤 茂稔; 上田 吉裕; 湯浅 貴之; 種谷 元隆; 元木 健作
Adobe PDF(182Kb) | 收藏 | 浏览/下载：56/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 半导体光发射装置以及一种装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1933203A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
发明人: 朝妻庸纪; 冨谷茂隆; 玉村好司; 东条刚; 后藤修; 元木健作
Adobe PDF(3090Kb) | 收藏 | 浏览/下载：81/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1275335C, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2006-09-13
发明人: 元木健作; 冈久拓司; 中畑成二; 弘田龙; 上松康二
Adobe PDF(5579Kb) | 收藏 | 浏览/下载：58/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 氮化物半导体发光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1799171A, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2006-07-05
发明人: 神川刚; 金子佳加; 元木健作
Adobe PDF(1139Kb) | 收藏 | 浏览/下载：53/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1790759A, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2006-06-21
发明人: 元木健作; 冈久拓司; 中畑成二; 弘田龙; 上松康二
Adobe PDF(5042Kb) | 收藏 | 浏览/下载：46/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| GaN単結晶基板 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3788037B2, 申请日期: 2006-04-07, 公开日期: 2006-06-21
发明人: 元木 健作; 西本 達也; 岡久 拓司; 松本 直樹
Adobe PDF(162Kb) | 收藏 | 浏览/下载：54/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| GAN單晶衬底及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: HK1031469A, 申请日期: 2005-03-18, 公开日期: 2005-03-18
发明人: 元木健作; 岡久拓司; 松本直樹
Adobe PDF(2087Kb) | 收藏 | 浏览/下载：47/0 | 提交时间：2020/01/18 |
