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窒化物系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4079393B2, 申请日期: 2008-02-15, 公开日期: 2008-04-23
发明人:  上田 吉裕
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窒素化合物半導体膜の形成方法および窒素化合物半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4005701B2, 申请日期: 2007-08-31, 公开日期: 2007-11-14
发明人:  湯浅 貴之;  上田 吉裕
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窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007189221A, 申请日期: 2007-07-26, 公开日期: 2007-07-26
发明人:  伊藤 茂稔;  上田 吉裕;  湯浅 貴之;  種谷 元隆;  元木 健作
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窒素化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001156401A, 申请日期: 2001-06-08, 公开日期: 2001-06-08
发明人:  荒木 正浩;  湯浅 貴之;  上田 吉裕;  小河 淳;  津田 有三
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