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生长氮化镓晶体的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101086963B, 申请日期: 2010-04-21, 公开日期: 2010-04-21
发明人:  冈久拓司;  元木健作;  上松康二;  中畑成二;  弘田龙;  井尻英幸;  笠井仁;  藤田俊介;  佐藤史隆;  松冈彻
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GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101350333A, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21
发明人:  长田英树;  笠井仁;  石桥惠二;  中畑成二;  京野孝史;  秋田胜史;  三浦祥纪
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GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101345221A, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-01-14
发明人:  笠井仁;  石桥惠二;  中畑成二;  秋田胜史;  京野孝史;  三浦祥纪
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