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生长氮化镓晶体的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101086963B, 申请日期: 2010-04-21, 公开日期: 2010-04-21
发明人:  冈久拓司;  元木健作;  上松康二;  中畑成二;  弘田龙;  井尻英幸;  笠井仁;  藤田俊介;  佐藤史隆;  松冈彻
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单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100435268C, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2008-11-19
发明人:  元木健作;  弘田龙;  冈久拓司;  中畑成二
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单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1275335C, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2006-09-13
发明人:  元木健作;  冈久拓司;  中畑成二;  弘田龙;  上松康二
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单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1790759A, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2006-06-21
发明人:  元木健作;  冈久拓司;  中畑成二;  弘田龙;  上松康二
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GaN単結晶基板 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3788037B2, 申请日期: 2006-04-07, 公开日期: 2006-06-21
发明人:  元木 健作;  西本 達也;  岡久 拓司;  松本 直樹
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制备GaN晶体衬底的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1645567A, 申请日期: 2005-07-27, 公开日期: 2005-07-27
发明人:  冈久拓司
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GAN單晶衬底及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: HK1031469A, 申请日期: 2005-03-18, 公开日期: 2005-03-18
发明人:  元木健作;  岡久拓司;  松本直樹
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