×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
资助项目
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
半导体激光器专利数据... [4]
作者
文献类型
专利 [4]
发表日期
2010 [1]
2006 [3]
语种
出处
资助项目
收录类别
资助机构
×
知识图谱
OPT OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
生长氮化镓晶体的方法
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101086963B, 申请日期: 2010-04-21, 公开日期: 2010-04-21
发明人:
冈久拓司
;
元木健作
;
上松康二
;
中畑成二
;
弘田龙
;
井尻英幸
;
笠井仁
;
藤田俊介
;
佐藤史隆
;
松冈彻
Adobe PDF(1787Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:68/0
  |  
提交时间:2019/12/26
氮化物半导体基板及其制造方法
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1877877A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13
发明人:
上松康二
;
佐藤史隆
;
弘田龙
;
中畑成二
;
中幡英章
Adobe PDF(5029Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:74/0
  |  
提交时间:2020/01/18
单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1275335C, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2006-09-13
发明人:
元木健作
;
冈久拓司
;
中畑成二
;
弘田龙
;
上松康二
Adobe PDF(5579Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:58/0
  |  
提交时间:2019/12/26
单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1790759A, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2006-06-21
发明人:
元木健作
;
冈久拓司
;
中畑成二
;
弘田龙
;
上松康二
Adobe PDF(5042Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2020/01/18