Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 | |
| 其他题名 | 单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 |
| 元木健作; 弘田龙; 冈久拓司; 中畑成二 | |
| 2008-11-19 | |
| 专利权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 公开日期 | 2008-11-19 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种单晶氮化镓长晶方法，在衬底基板上有规律地设条纹图案，在其长形成凹凸构成的V沟(谷)并加以维持，同时让GaN凹凸生长，凹凸面构成的V沟(谷)底部形成缺陷集合区H，将变位集结于此，实现其周围的低缺陷单晶区Z与C面生长区Y的低变位化。克服了这些难点：自凹凸面构成的坑的中央变位变位零乱分布、生成放射状面状缺陷、坑生成位置不可控制。 |
| 其他摘要 | 一种单晶氮化镓长晶方法，在衬底基板上有规律地设条纹图案，在其长形成凹凸构成的V沟(谷)并加以维持，同时让GaN凹凸生长，凹凸面构成的V沟(谷)底部形成缺陷集合区H，将变位集结于此，实现其周围的低缺陷单晶区Z与C面生长区Y的低变位化。克服了这些难点：自凹凸面构成的坑的中央变位变位零乱分布、生成放射状面状缺陷、坑生成位置不可控制。 |
| 申请日期 | 2002-10-09 |
| 专利号 | CN100435268C |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN02145712.3 |
| 公开（公告）号 | CN100435268C |
| IPC 分类号 | H01L21/00 | H01L33/00 | H01S5/00 | C30B29/38 | C30B23/02 | C30B25/02 | H01L21/20 | H01L21/205 | H01L33/32 |
| 专利代理人 | 汪惠民 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48044 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元木健作,弘田龙,冈久拓司,等. 单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法. CN100435268C[P]. 2008-11-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN100435268C.PDF（4252KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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