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制作氮化物半导体发光器件的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1755957B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06
发明人:  高仓辉芳;  神川刚;  金子佳加
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氮化物半导体发光器件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1581610B, 申请日期: 2012-04-11, 公开日期: 2012-04-11
发明人:  神川刚;  山田英司;  荒木正浩;  金子佳加
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氮化物半导体激光器件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100440657C, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2008-12-03
发明人:  神川刚;  金子佳加
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氮化物半导体发光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1799171A, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2006-07-05
发明人:  神川刚;  金子佳加;  元木健作
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