Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物半导体发光器件 | |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光器件 |
| 神川刚; 金子佳加; 元木健作 | |
| 2006-07-05 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2006-07-05 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，其中，衬底或氮化物半导体层具有缺陷集中区域和低缺陷区域，低缺陷区域对应于除缺陷集中区域外的区域。包括衬底或氮化物半导体层的缺陷集中区域的部分具有比低缺陷区域要深的沟槽区域。于是，通过在缺陷集中区域中挖掘出沟槽，可以使生长方向均匀和表面平整度提高。晶片表面内的特性的均匀性导致产率的提高。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，其中，衬底或氮化物半导体层具有缺陷集中区域和低缺陷区域，低缺陷区域对应于除缺陷集中区域外的区域。包括衬底或氮化物半导体层的缺陷集中区域的部分具有比低缺陷区域要深的沟槽区域。于是，通过在缺陷集中区域中挖掘出沟槽，可以使生长方向均匀和表面平整度提高。晶片表面内的特性的均匀性导致产率的提高。 |
| 申请日期 | 2004-05-27 |
| 专利号 | CN1799171A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200480015128 |
| 公开（公告）号 | CN1799171A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01L21/205 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 陶凤波 | 侯宇 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90497 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川刚,金子佳加,元木健作. 氮化物半导体发光器件. CN1799171A[P]. 2006-07-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1799171A.PDF（1139KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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