中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
制造半导体器件的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101911258A, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2010-12-08
发明人:  中畑成二;  藤原伸介
Adobe PDF(894Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2020/01/18
生长氮化镓晶体的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101086963B, 申请日期: 2010-04-21, 公开日期: 2010-04-21
发明人:  冈久拓司;  元木健作;  上松康二;  中畑成二;  弘田龙;  井尻英幸;  笠井仁;  藤田俊介;  佐藤史隆;  松冈彻
Adobe PDF(1787Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2019/12/26
GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101568671A, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 2009-10-28
发明人:  中畑成二;  元木健作
Adobe PDF(1750Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2020/01/18
GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101350333A, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21
发明人:  长田英树;  笠井仁;  石桥惠二;  中畑成二;  京野孝史;  秋田胜史;  三浦祥纪
Adobe PDF(1139Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2020/01/18
GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101345221A, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-01-14
发明人:  笠井仁;  石桥惠二;  中畑成二;  秋田胜史;  京野孝史;  三浦祥纪
Adobe PDF(774Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2020/01/18
单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100435268C, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2008-11-19
发明人:  元木健作;  弘田龙;  冈久拓司;  中畑成二
Adobe PDF(4252Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2019/12/26
氮化物半导体基板及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1877877A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13
发明人:  上松康二;  佐藤史隆;  弘田龙;  中畑成二;  中幡英章
Adobe PDF(5029Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2020/01/18
单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1275335C, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2006-09-13
发明人:  元木健作;  冈久拓司;  中畑成二;  弘田龙;  上松康二
Adobe PDF(5579Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2019/12/26
单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1790759A, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2006-06-21
发明人:  元木健作;  冈久拓司;  中畑成二;  弘田龙;  上松康二
Adobe PDF(5042Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2020/01/18