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生长氮化镓晶体的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101086963B, 申请日期: 2010-04-21, 公开日期: 2010-04-21
发明人:  冈久拓司;  元木健作;  上松康二;  中畑成二;  弘田龙;  井尻英幸;  笠井仁;  藤田俊介;  佐藤史隆;  松冈彻
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氮化物半导体基板及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1877877A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13
发明人:  上松康二;  佐藤史隆;  弘田龙;  中畑成二;  中幡英章
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