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| 窒素化合物半導体膜の形成方法および窒素化合物半導体素子 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: JP4005701B2, 申请日期: 2007-08-31, 公开日期: 2007-11-14 发明人: 湯浅 貴之; 上田 吉裕 Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:38/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007189221A, 申请日期: 2007-07-26, 公开日期: 2007-07-26 发明人: 伊藤 茂稔; 上田 吉裕; 湯浅 貴之; 種谷 元隆; 元木 健作 Adobe PDF(182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:56/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: JP3771987B2, 申请日期: 2006-02-17, 公开日期: 2006-05-10 发明人: 小河 淳; 湯浅 貴之 Adobe PDF(38Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002217498A, 申请日期: 2002-08-02, 公开日期: 2002-08-02 发明人: 津田 有三; 湯浅 貴之; 伊藤 茂稔; 種谷 元隆; 山崎 幸生 Adobe PDF(84Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:50/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 窒素化合物半導体発光素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001156401A, 申请日期: 2001-06-08, 公开日期: 2001-06-08 发明人: 荒木 正浩; 湯浅 貴之; 上田 吉裕; 小河 淳; 津田 有三 Adobe PDF(48Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:32/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999135882A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21 发明人: 小河 淳; 湯浅 貴之 Adobe PDF(43Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 半導体発光素子及びその製造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997186403A, 申请日期: 1997-07-15, 公开日期: 1997-07-15 发明人: 湯浅 貴之; 猪口 和彦 Adobe PDF(72Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:39/0  |  提交时间:2020/01/13 |