窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法
其他题名	窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法
	伊藤茂稔; 上田吉裕; 湯浅貴之; 種谷元隆; 元木健作
	2007-07-26
专利权人	SHARP CORP
公开日期	2007-07-26
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】レーザ発振寿命の長い窒化物半導体レーザ素子に適した窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】窒化物半導体基板は、断面をV字状にした溝の側面である斜面をファセット面とし、そのファセット面の斜面を維持させながら成長させることにより、溝に転位を集中させた上にストライプ状に生じた転位集中領域と、転位集中領域を除いた領域である低転位集中領域と、を含み、さらに、その窒化物半導体基板の表面が、(0001)面から0.2°〜1°の範囲のオフ角度を有している。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供适用于具有长激光振荡寿命的氮化物半导体激光器件的氮化物半导体衬底。解决方案：氮化物半导体衬底包括位错集中区域，该位错集中区域允许位错集中在凹槽中并且通过允许倾斜平面产生条纹形状，该倾斜平面是凹槽的侧表面，其横截面为形状V是小平面侧，同时保持和生长小平面侧的倾斜平面，以及低位错集中区域，其是除位错集中区域之外的区域。氮化物半导体衬底的表面与（0001）表面的偏角在0.2°-1°的范围内。 Ž
主权项	-
申请日期	2006-12-21
专利号	JP2007189221A
专利状态	失效
申请号	JP2006344907
公开（公告）号	JP2007189221A
IPC 分类号	H01S5/343 \| C30B29/38 \| G11B7/125 \| H01L21/205 \| H01L21/318
专利代理人	佐野静夫 \| 山田茂樹
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61382
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	伊藤茂稔,上田吉裕,湯浅貴之,等. 窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法. JP2007189221A[P]. 2007-07-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2007189221A.PDF（182KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文