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| GaN基半导体器件 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN100440656C, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2008-12-03 发明人: 后藤修; 松本治; 佐佐木智美; 池田昌夫 Adobe PDF(1254Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:49/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 光半导体装置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN101242078A, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2008-08-13 发明人: 上田诚; 后藤修; 和泉茂一 Adobe PDF(1035Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:34/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 多光束型半导体激光器、半导体发光器件以及半导体装置 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN100376064C, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2008-03-19 发明人: 东条刚; 矢吹义文; 安斋信一; 日野智公; 后藤修; 藤本强; 松本治; 竹谷元伸; 大藤良夫 Adobe PDF(1149Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:40/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 半导体光发射装置以及一种装置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN1933203A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21 发明人: 朝妻庸纪; 冨谷茂隆; 玉村好司; 东条刚; 后藤修; 元木健作 Adobe PDF(3090Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:74/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 多光束半导体激光器 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN1305193C, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2007-03-14 发明人: 东条刚; 日野智公; 后藤修; 矢吹义文; 安斋信一; 内田史朗; 池田昌夫 Adobe PDF(2607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:47/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 氮化物半导体,半导体器件及其制造方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN1296970C, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2007-01-24 发明人: 后藤修; 浅野竹春; 竹谷元伸; 簗克典; 池田真朗; 涉谷胜义; 铃木康彦 Adobe PDF(2193Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:53/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 半导体激光器的制造方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN1136636C, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28 发明人: 后藤修; 山田光志; 八重樫浩树; 堀川英明 Adobe PDF(825Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 半导体激光器的制造方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN1136636C, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28 发明人: 后藤修; 山田光志; 八重樫浩树; 堀川英明 Adobe PDF(825Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 光半導体装置の製造方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: JP3306390B2, 申请日期: 2002-05-10, 公开日期: 2002-07-24 发明人: 下山謙司; 後藤秀樹 Adobe PDF(39Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:46/0  |  提交时间:2020/01/13 |