Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 | |
| 其他题名 | 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 |
| 元木健作; 冈久拓司; 中畑成二; 弘田龙; 上松康二 | |
| 2006-09-13 | |
| 专利权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 公开日期 | 2006-09-13 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。 |
| 其他摘要 | 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。 |
| 申请日期 | 2002-09-19 |
| 专利号 | CN1275335C |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN02142450.0 |
| 公开（公告）号 | CN1275335C |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/00 | C30B29/38 | C30B25/02 | C30B25/18 | H01L21/20 | H01L21/205 | H01L33/32 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 汪惠民 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48190 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元木健作,冈久拓司,中畑成二,等. 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法. CN1275335C[P]. 2006-09-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1275335C.PDF（5579KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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