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氮化镓半导体衬底和蓝色发光器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101661910B, 申请日期: 2012-07-18, 公开日期: 2012-07-18
发明人:  中山雅博;  松本直树
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氮化物半导体衬底、半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102034853A, 申请日期: 2011-04-27, 公开日期: 2011-04-27
发明人:  山口小百合;  松本直树;  三上英则
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半导体用氮化物衬底的制备方法及氮化物半导体衬底 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100424817C, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2008-10-08
发明人:  松本直树
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GaN単結晶基板 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3788037B2, 申请日期: 2006-04-07, 公开日期: 2006-06-21
发明人:  元木 健作;  西本 達也;  岡久 拓司;  松本 直樹
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GAN單晶衬底及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: HK1031469A, 申请日期: 2005-03-18, 公开日期: 2005-03-18
发明人:  元木健作;  岡久拓司;  松本直樹
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