Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| GAN單晶衬底及其制造方法 | |
| 其他题名 | GAN單晶衬底及其制造方法 |
| 元木健作; 岡久拓司; 松本直樹 | |
| 2005-03-18 | |
| 专利权人 | 住友電氣工業株式會社 |
| 公开日期 | 2005-03-18 |
| 授权国家 | 中国香港 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种GaN单晶衬底的制造方法,其特征在于,包括:屏蔽层形成工序,在GaAs衬底2上,形成具有相互隔离配置的多个开口窗10的屏蔽层8;和外延层生成工序,在屏蔽层8上,生长由GaN构成的外延层12。 |
| 其他摘要 | 一种GaN单晶衬底的制造方法,其特征在于,包括:屏蔽层形成工序,在GaAs衬底2上,形成具有相互隔离配置的多个开口窗10的屏蔽层8;和外延层生成工序,在屏蔽层8上,生长由GaN构成的外延层12。 |
| 申请日期 | 2001-03-26 |
| 专利号 | HK1031469A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | HK01102181 |
| 公开（公告）号 | HK1031469A |
| IPC 分类号 | H01L21/20 | H01S5/02 | H01S5/00 | H01L21/02 | H01S5/323 | H01L33/00 | C30B25/02 | H01L | H01S | C01B |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | 香港柳沈知識產權服務公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90757 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電氣工業株式會社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元木健作,岡久拓司,松本直樹. GAN單晶衬底及其制造方法. HK1031469A[P]. 2005-03-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1283306A.PDF（2087KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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