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窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007189221A, 申请日期: 2007-07-26, 公开日期: 2007-07-26
发明人:  伊藤 茂稔;  上田 吉裕;  湯浅 貴之;  種谷 元隆;  元木 健作
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半导体光发射装置以及一种装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1933203A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
发明人:  朝妻庸纪;  冨谷茂隆;  玉村好司;  东条刚;  后藤修;  元木健作
Adobe PDF(3090Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2020/01/18