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片上集成半导体激光器结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109586159A, 申请日期: 2019-04-05, 公开日期: 2019-04-05
发明人:  杨成奥;  牛智川;  张宇;  徐应强;  谢圣文;  张一;  尚金铭
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基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109217109A, 申请日期: 2019-01-15, 公开日期: 2019-01-15
发明人:  谢圣文;  牛智川;  张宇;  徐应强;  邵福会;  杨成奥;  张一;  尚金铭;  黄书山;  袁野;  苏向斌
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渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109149368A, 申请日期: 2019-01-04, 公开日期: 2019-01-04
发明人:  张一;  牛智川;  张宇;  徐应强;  杨成奥;  谢圣文;  邵福会;  尚金铭
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中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108988125A, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2018-12-11
发明人:  张一;  牛智川;  张宇;  徐应强;  杨成奥;  谢圣文;  邵福会;  尚金铭
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提高激光器寿命和发光效率的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108039645A, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2018-05-15
发明人:  谢圣文;  杨成奥;  张宇;  牛智川
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Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 4
作者:  Li, Jin-Lun;  Cui, Shao-Hui;  Xu, Jian-Xing;  Cui, Xiao-Ran;  Guo, Chun-Yan;  Ma, Ben;  Ni, Hai-Qiao;  Niu, Zhi-Chuan;  Ni, HQ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices, Beijing 100083, Peoples R China.
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Thz Detector  High Electron Mobility Transistor  Two-dimensional Electron Gas  Inp  
Broadband antireflection coating for the near-infrared InAs/GaSb Type-II superlattices photodetectors by lift-off process 会议论文
Infrared, Millimeter-Wave, and Terahertz Technologies V, Beijing, China, 2018-10-12
作者:  Jia, Qing-Xuan;  Guo, Chun-Yan;  Sun, Yao-Yao;  Yang, Cheng-Ao;  Lv, Yue-Xi;  Jiang, Zhi;  Zheng, Da-Nong;  Han, Xi;  Jiang, Dong-Wei;  Wang, Guo-Wei;  Niu, Zhi-Chuan
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单模GaSb基半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106953235A, 申请日期: 2017-07-14, 公开日期: 2017-07-14
发明人:  杨成奥;  张宇;  廖永平;  徐应强;  牛智川
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Transfer process of LT-GaAs epitaxial films for on-chip terahertz antenna integrated device 期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2017, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 220-+
作者:  Guo Chun-Yan;  Xu Jian-Xing;  Peng Hong-Ling;  Ni Hai-Qiao;  Wang Tao;  Tian Jin-Shou;  Niu Zhi-Chuan;  Wu Zhao-Xin;  Zuo Jian;  Zhang Cun-Lin;  Niu, ZC (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt, Beijing 100083, Peoples R China.
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On-chip Thz Antenna Integrated Device  Lt-gaas  Epitaxial Layer Transfer  Wet Chemical Etching  
四波长输出半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106451076A, 申请日期: 2017-02-22, 公开日期: 2017-02-22
发明人:  魏思航;  张宇;  廖永平;  倪海桥;  牛智川
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