四波长输出半导体激光器及其制备方法

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	四波长输出半导体激光器及其制备方法
其他题名	四波长输出半导体激光器及其制备方法
	魏思航; 张宇; 廖永平; 倪海桥; 牛智川
	2017-02-22
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2017-02-22
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种四波长输出半导体激光器及其制备方法，该激光器为近红外边发射激光器，采用上下DBR带代替现有上下限制层结构，且利用在一维光子晶体中插入缺陷层，实现将光子带隙中的光限制在缺陷层的效果，具体包括：GaAs衬底、下DBR层、下匹配层、下波导层、有源区、上波导层、上匹配层、上DBR层、接触层、绝缘层和P型电极；其中上DBR层和接触层经刻蚀形成脊形波导和双电极结构。本发明能通过半导体激光器内部模式匹配获得四种不同波长的输出，且通过控制其中一端电极可获得调谐激光器的波长以及转换激光器工作状态的效果，基于此结构的器件首次同时获得069μm、353μm、77μm、2.71μm的连续以及脉冲输出。
其他摘要	一种四波长输出半导体激光器及其制备方法，该激光器为近红外边发射激光器，采用上下DBR带代替现有上下限制层结构，且利用在一维光子晶体中插入缺陷层，实现将光子带隙中的光限制在缺陷层的效果，具体包括：GaAs衬底、下DBR层、下匹配层、下波导层、有源区、上波导层、上匹配层、上DBR层、接触层、绝缘层和P型电极；其中上DBR层和接触层经刻蚀形成脊形波导和双电极结构。本发明能通过半导体激光器内部模式匹配获得四种不同波长的输出，且通过控制其中一端电极可获得调谐激光器的波长以及转换激光器工作状态的效果，基于此结构的器件首次同时获得069μm、353μm、77μm、2.71μm的连续以及脉冲输出。
申请日期	2016-10-09
专利号	CN106451076A
专利状态	申请中
申请号	CN201610880873.5
公开（公告）号	CN106451076A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91645
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	魏思航,张宇,廖永平,等. 四波长输出半导体激光器及其制备方法. CN106451076A[P]. 2017-02-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106451076A.PDF（250KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文