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Numerical analysis of surface acoustic wave driven carriers transport in GaAs/AlGaAs quantum well 期刊论文
Journal of Nanophotonics, 2023, 卷号: 17, 期号: 3
作者:  Pang, Ziliang;  Cao, Weiwei;  Zheng, Jinkun;  Bai, YongLin
Adobe PDF(1805Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2023/10/30
surface acoustic waves  quantum well  single-photon devices  python  
原子层沉积制备氧化镓薄膜及其光学性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2023
作者:  李存钰
Adobe PDF(9189Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2023/07/27
Ga2O3 薄膜  原子层沉积  Ti 掺杂Ga2O3 薄膜  折射率  光学带隙  
Graphene-empowered dynamic metasurfaces and metadevices 期刊论文
OPTO-ELECTRONIC ADVANCES, 2022, 卷号: 5, 期号: 4
作者:  Zeng, Chao;  Lu, Hua;  Mao, Dong;  Du, Yueqing;  Hua, He;  Zhao, Wei;  Zhao, Jianlin
Adobe PDF(10216Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：143/3  |  提交时间：2022/05/20
metasurface  dynamic metasurface  graphene  graphene plasmons  light field manipulation  electromagnetic wave manipulation  
Terahertz photoconductive antenna based on antireflection dielectric metasurfaces with embedded plasmonic nanodisks 期刊论文
Applied Optics, 2021, 卷号: 60, 期号: 26, 页码: 7921-7928
作者:  Jiang, Xiao-Qiang;  Fan, Wen-Hui;  Song, Chao;  Chen, Xu;  Wu, Qi
Adobe PDF(13253Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：260/1  |  提交时间：2021/09/18
光学设计-SCI-汇总 文献摘要集
2020
作者:  王亚军
Adobe PDF(6489Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：163/6  |  提交时间：2020/11/24
氮化物半导体基板及其制造方法以及半导体器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110036144A, 申请日期: 2019-07-19, 公开日期: 2019-07-19
发明人:  藤原康文;  朱婉新;  小泉淳;  布兰登·米切尔;  汤姆·格雷戈尔凯维奇
Adobe PDF(1177Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：144/0  |  提交时间：2020/01/18
GaNFET作为用于快速激光脉冲发生器的储能器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109863654A, 申请日期: 2019-06-07, 公开日期: 2019-06-07
发明人:  B.加森德;  P-Y.德罗兹
Adobe PDF(523Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/12/30
化合物半导体及其制造方法以及氮化物半导体 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109643645A, 申请日期: 2019-04-16, 公开日期: 2019-04-16
发明人:  藤冈洋;  上野耕平
Adobe PDF(3779Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2020/01/18
基于石墨烯-钙钛矿量子点场效应晶体管的光电探测器 期刊论文
物理学报, 2018, 卷号: 67, 期号: 11
作者:  郑加金;  王雅如;  余柯涵;  徐翔星;  盛雪曦;  胡二涛;  韦玮
Adobe PDF(1324Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：202/1  |  提交时间：2018/10/09
场效应晶体管  石墨烯  钙钛矿量子点  光电探测器  
Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 4
作者:  Li, Jin-Lun;  Cui, Shao-Hui;  Xu, Jian-Xing;  Cui, Xiao-Ran;  Guo, Chun-Yan;  Ma, Ben;  Ni, Hai-Qiao;  Niu, Zhi-Chuan;  Ni, HQ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1077Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：253/0  |  提交时间：2018/05/14
Thz Detector  High Electron Mobility Transistor  Two-dimensional Electron Gas  Inp