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中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 4
作者:
Li, Jin-Lun
;
Cui, Shao-Hui
;
Xu, Jian-Xing
;
Cui, Xiao-Ran
;
Guo, Chun-Yan
;
Ma, Ben
;
Ni, Hai-Qiao
;
Niu, Zhi-Chuan
;
Ni, HQ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1077Kb)
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提交时间:2018/05/14
Thz Detector
High Electron Mobility Transistor
Two-dimensional Electron Gas
Inp
Transfer process of LT-GaAs epitaxial films for on-chip terahertz antenna integrated device
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2017, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 220-+
作者:
Guo Chun-Yan
;
Xu Jian-Xing
;
Peng Hong-Ling
;
Ni Hai-Qiao
;
Wang Tao
;
Tian Jin-Shou
;
Niu Zhi-Chuan
;
Wu Zhao-Xin
;
Zuo Jian
;
Zhang Cun-Lin
;
Niu, ZC (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(3389Kb)
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浏览/下载:292/4
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提交时间:2017/06/06
On-chip Thz Antenna Integrated Device
Lt-gaas
Epitaxial Layer Transfer
Wet Chemical Etching
四波长输出半导体激光器及其制备方法
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106451076A, 申请日期: 2017-02-22, 公开日期: 2017-02-22
发明人:
魏思航
;
张宇
;
廖永平
;
倪海桥
;
牛智川
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提交时间:2020/01/18
一种电致单光子源器件及其制备方法
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106099642A, 申请日期: 2016-11-09, 公开日期: 2016-11-09
发明人:
马奔
;
陈泽升
;
尚向军
;
倪海桥
;
牛智川
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提交时间:2020/01/18
硅基半导体超短脉冲激光器
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103414106B, 申请日期: 2015-07-15, 公开日期: 2015-07-15
发明人:
丁颖
;
倪海桥
;
李密锋
;
喻颖
;
查国伟
;
徐建新
;
王莉娟
;
牛智川
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提交时间:2019/12/26
InGaAs-MSM photodetector with low dark current
期刊论文
Guangzi Xuebao/Acta Photonica Sinica, 2015, 卷号: 44, 期号: 6
作者:
Yan, Xin
;
Wang, Tao
;
Yin, Fei
;
Ni, Hai-Qiao
;
Niu, Zhi-Chuan
;
Xin, Li-Wei
;
Tian, Jin-Shou
Adobe PDF(1263Kb)
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提交时间:2015/12/02
基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103532010A, 申请日期: 2014-01-22, 公开日期: 2014-01-22
发明人:
王莉娟
;
喻颖
;
査国伟
;
徐建星
;
倪海桥
;
牛智川
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提交时间:2020/01/18
多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102832538A, 申请日期: 2012-12-19, 公开日期: 2012-12-19
发明人:
倪海桥
;
丁颖
;
李密锋
;
喻颖
;
査国伟
;
牛智川
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提交时间:2020/01/18
砷化镓基5微米量子阱结构及其外延生长方法
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100382347C, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2008-04-16
发明人:
牛智川
;
倪海桥
;
韩勤
;
张石勇
;
吴东海
;
赵欢
;
杨晓红
;
彭红玲
;
周志强
;
熊永华
;
吴荣汉
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提交时间:2019/12/26
高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1624996A, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2005-06-08
发明人:
牛智川
;
徐晓华
;
倪海桥
;
徐应强
;
韩勤
;
吴荣汉
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提交时间:2020/01/18