渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法

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	渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法
其他题名	渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法
	张一; 牛智川; 张宇; 徐应强; 杨成奥; 谢圣文; 邵福会; 尚金铭
	2019-01-04
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-01-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法，其中，渐变掺杂宽波导带间级联激光器，包括：衬底；以及自下而上依次外延的下波导包层、下分别限制层、级联区、上分别限制层、上波导包层、以及上接触层；其中，下分别限制层和上分别限制层的厚度为百纳米到微米量级，并且下分别限制层和上分别限制层都是渐变掺杂，使得下分别限制层和上分别限制层的两端掺杂浓度相对较高，中心区域掺杂浓度相对较低。该渐变掺杂宽波导带间级联激光器有效提高了光学限制因子，增加光学增益；有效的降低异质结面的电压降，提高光电效率，可以减小串联电阻，减小自由载流子吸收，减小器件的损耗；并能降低工作电压，提高工作效率。
其他摘要	本发明公开了一种渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法，其中，渐变掺杂宽波导带间级联激光器，包括：衬底；以及自下而上依次外延的下波导包层、下分别限制层、级联区、上分别限制层、上波导包层、以及上接触层；其中，下分别限制层和上分别限制层的厚度为百纳米到微米量级，并且下分别限制层和上分别限制层都是渐变掺杂，使得下分别限制层和上分别限制层的两端掺杂浓度相对较高，中心区域掺杂浓度相对较低。该渐变掺杂宽波导带间级联激光器有效提高了光学限制因子，增加光学增益；有效的降低异质结面的电压降，提高光电效率，可以减小串联电阻，减小自由载流子吸收，减小器件的损耗；并能降低工作电压，提高工作效率。
申请日期	2018-08-22
专利号	CN109149368A
专利状态	申请中
申请号	CN201810959840.9
公开（公告）号	CN109149368A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92313
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张一,牛智川,张宇,等. 渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法. CN109149368A[P]. 2019-01-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109149368A.PDF（656KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文