片上集成半导体激光器结构及其制备方法

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	片上集成半导体激光器结构及其制备方法
其他题名	片上集成半导体激光器结构及其制备方法
	杨成奥; 牛智川; 张宇; 徐应强; 谢圣文; 张一; 尚金铭
	2019-04-05
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-04-05
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种片上集成半导体激光器结构及其制备方法，该设计结构包括：依次沉积在衬底上的第一N接触层、第一N限制层、第一有源区、第一P限制层、第一P接触层、隔离层，第二N接触层、第二N限制层、第二有源区、第二P限制层和第二P接触层作为外延结构，通过光刻刻蚀该外延结构实现双波长激光器的制作；以及波导结构，包括第一激光器的波导结构和第二激光器的波导结构；光栅，设置于第一激光器的波导结构和第二激光器的波导结构两侧，实现激光模式的筛选；和电流注入窗口。本发明通过在同一片外延上实现不同波段半导体激光器外延材料生长，实现了不同波长激光器的片上集成，达到在同一激光器上激射不同波长的激光的目的。
其他摘要	本发明公开了一种片上集成半导体激光器结构及其制备方法，该设计结构包括：依次沉积在衬底上的第一N接触层、第一N限制层、第一有源区、第一P限制层、第一P接触层、隔离层，第二N接触层、第二N限制层、第二有源区、第二P限制层和第二P接触层作为外延结构，通过光刻刻蚀该外延结构实现双波长激光器的制作；以及波导结构，包括第一激光器的波导结构和第二激光器的波导结构；光栅，设置于第一激光器的波导结构和第二激光器的波导结构两侧，实现激光模式的筛选；和电流注入窗口。本发明通过在同一片外延上实现不同波段半导体激光器外延材料生长，实现了不同波长激光器的片上集成，达到在同一激光器上激射不同波长的激光的目的。
主权项	一种片上集成半导体激光器结构，其特征在于，包括：依次沉积在衬底上的第一N接触层、第一N限制层、第一有源区、第一P限制层、第一P接触层、隔离层、第二N接触层、第二N限制层、第二有源区、第二P限制层和第二P接触层作为外延结构；波导结构，第一激光器的波导结构为从第二P接触层刻蚀到第二有源区界面上，第二激光器的波导结构为从第一P接触层刻蚀到第一有源区界面上；光栅，设置于第一激光器的波导结构和第二激光器的波导结构两侧，实现激光模式的筛选；电流注入窗口，第一激光器的第一N面电流注入窗口制备在第二N接触层上，第一激光器的第二N面电流注入窗口制备在第一N接触层上，第一激光器的P面电流注入窗口制备在第一激光器的波导结构上，第二激光器的P面电流注入窗口制备在第二激光器的波导上。
申请日期	2019-01-22
专利号	CN109586159A
专利状态	申请中
申请号	CN201910061317.9
公开（公告）号	CN109586159A
IPC 分类号	H01S5/02 \| H01S5/20 \| H01S5/32
专利代理人	张宇园
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55125
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨成奥,牛智川,张宇,等. 片上集成半导体激光器结构及其制备方法. CN109586159A[P]. 2019-04-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109586159A.PDF（738KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文