单模GaSb基半导体激光器及其制备方法

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	单模GaSb基半导体激光器及其制备方法
其他题名	单模GaSb基半导体激光器及其制备方法
	杨成奥; 张宇; 廖永平; 徐应强; 牛智川
	2017-07-14
专利权人	协同创新(北京)光电技术有限公司
公开日期	2017-07-14
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种单模GaSb基半导体激光器，包括N型GaSb衬底和外延层，所述外延层包括下波导层、下波导层之上的上波导层，上波导层之上的p型上限制层以及p型上限制层之上的P型上缓冲层，其中，在所述外延层的部分区域从所述p型上缓冲层向下刻蚀，刻蚀深度位于p型上限制层上表面至上波导层下表面之间，形成的一中间高、两边低的脊型波导结构；以及所述脊型波导结构在P型上限制层的部分区域进一步向下刻蚀形成周期性光栅。还提供了一种侧向耦合光栅的单模GaSb基半导体激光器的制备方法。通过该特定光栅结构，减小因为制作光栅而引起的二次外延等材料生长复杂的问题，同时可以有效避免铝的氧化问题。
其他摘要	一种单模GaSb基半导体激光器，包括N型GaSb衬底和外延层，所述外延层包括下波导层、下波导层之上的上波导层，上波导层之上的p型上限制层以及p型上限制层之上的P型上缓冲层，其中，在所述外延层的部分区域从所述p型上缓冲层向下刻蚀，刻蚀深度位于p型上限制层上表面至上波导层下表面之间，形成的一中间高、两边低的脊型波导结构；以及所述脊型波导结构在P型上限制层的部分区域进一步向下刻蚀形成周期性光栅。还提供了一种侧向耦合光栅的单模GaSb基半导体激光器的制备方法。通过该特定光栅结构，减小因为制作光栅而引起的二次外延等材料生长复杂的问题，同时可以有效避免铝的氧化问题。
申请日期	2016-03-17
专利号	CN106953235A
专利状态	失效
申请号	CN201610152882.2
公开（公告）号	CN106953235A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/22 \| H01S5/12
专利代理人	宋焰琴
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92818
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	协同创新(北京)光电技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	杨成奥,张宇,廖永平,等. 单模GaSb基半导体激光器及其制备方法. CN106953235A[P]. 2017-07-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106953235A.PDF（171KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文