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Surface passivation of 1550nm AlxInyAsSb avalanche photodiode 会议论文
Optoelectronic Devices and Integration VII, Beijing, China, 2018-10-11
作者:  Guo, Chunyan;  Lv, Yuexi;  Zheng, Da'nong;  Sun, Yaoyao;  Jiang, Zhi;  Jiang, Dongwei;  Wang, Guowei;  Xu, Yingqiang;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou;  Wu, Zhaoxin;  Niu, Zhichuan
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Alxinyassb Avalanche Photodiode  Surface Passivation  Dark Current  Photocurrent  
Broadband antireflection coating for the near-infrared InAs/GaSb Type-II superlattices photodetectors by lift-off process 会议论文
Infrared, Millimeter-Wave, and Terahertz Technologies V, Beijing, China, 2018-10-12
作者:  Jia, Qing-Xuan;  Guo, Chun-Yan;  Sun, Yao-Yao;  Yang, Cheng-Ao;  Lv, Yue-Xi;  Jiang, Zhi;  Zheng, Da-Nong;  Han, Xi;  Jiang, Dong-Wei;  Wang, Guo-Wei;  Niu, Zhi-Chuan
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半導體激光器及使用該激光器的光盤裝置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: HK1017161A1, 申请日期: 2004-04-23, 公开日期: 2004-04-23
发明人:  大戶口勳;  足立秀人;  萬濃正也;  福久敏哉;  高森晃
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半導體激光器及使用該激光器的光盤裝置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: HK1017161A, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 1999-11-12
发明人:  大戶口勳;  足立秀人;  萬濃正也;  福久敏哉;  高森晃
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