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High Efficiency 1.9 kW Single Diode Laser Bar Epitaxially Stacked with a Tunnel Junction 期刊论文
IEEE Photonics Journal, 2021, 卷号: 13, 期号: 3
作者:  Zhao, Yuliang;  Wang, Zhenfu;  Demir, Abdullah;  Yang, Guowen;  Ma, Shufang;  Xu, Bingshe;  Sun, Cheng;  Li, Bo;  Qiu, Bocang
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semiconductor laser  diode laser bar  high power  power conversion efficiency  tunnel junction  
一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110165551A, 申请日期: 2019-08-23, 公开日期: 2019-08-23
发明人:  尚林;  许并社;  马淑芳;  单恒升;  郝晓东;  黄佳瑶;  邢茹萍
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一种纳米线激光器外延结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109904723A, 申请日期: 2019-06-18, 公开日期: 2019-06-18
发明人:  董海亮;  许并社;  贾志刚;  张爱琴;  屈凯;  李天保;  梁建
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边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109802296A, 申请日期: 2019-05-24, 公开日期: 2019-05-24
发明人:  董海亮;  许并社;  贾志刚;  张爱琴;  屈凯;  李天保;  梁建
Adobe PDF(323Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：183/0  |  提交时间：2020/01/18
半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 实用新型, 实用新型, 实用新型, 实用新型, 实用新型, 实用新型, 实用新型, 专利号: CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, 申请日期: 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 公开日期: 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17
发明人:  董海亮;  米洪龙;  许并社;  梁建;  贾志刚;  关永莉;  王琳;  张乔
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一种高质量GaN薄膜及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108538977A, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2018-09-14
发明人:  贾伟;  樊腾;  李天保;  仝广运;  董海亮;  许并社
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砷化镓激光巴条 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN207588214U, 申请日期: 2018-07-06, 公开日期: 2018-07-06
发明人:  董海亮;  米洪龙;  梁建;  许并社;  关永莉;  贾志刚;  王琳
Adobe PDF(704Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：159/0  |  提交时间：2019/12/24
砷化镓激光巴条及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107732650A, 申请日期: 2018-02-23, 公开日期: 2018-02-23
发明人:  董海亮;  米洪龙;  梁建;  许并社;  关永莉;  贾志刚;  王琳
Adobe PDF(655Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：147/0  |  提交时间：2019/12/30
一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107069431A, 申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
发明人:  许并社;  贾志刚;  马淑芳;  梁建;  董海亮
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应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104795729A, 申请日期: 2015-07-22, 公开日期: 2015-07-22
发明人:  许并社;  董海亮;  马淑芳;  梁建;  贾虎生;  刘旭光
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