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边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法
其他题名边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法
董海亮; 许并社; 贾志刚; 张爱琴; 屈凯; 李天保; 梁建
2019-05-24
专利权人太原理工大学
公开日期2019-05-24
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法,属于半导体材料技术领域;提供了一种提高了激光光斑的功率密度、减少了光束发散角的边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法;技术方案为:边发射激光器光束整形结构为梯形台,梯形台凹陷在边发射激光器芯片内部的N型掺杂的波导层、有源层和P型掺杂的波导层中,梯形台的上底面位于边发射激光器芯片的前输出腔面上,梯形台围成的表面上依次镀有Si钝化膜和增透膜。
其他摘要本发明边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法,属于半导体材料技术领域;提供了一种提高了激光光斑的功率密度、减少了光束发散角的边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法;技术方案为:边发射激光器光束整形结构为梯形台,梯形台凹陷在边发射激光器芯片内部的N型掺杂的波导层、有源层和P型掺杂的波导层中,梯形台的上底面位于边发射激光器芯片的前输出腔面上,梯形台围成的表面上依次镀有Si钝化膜和增透膜。
申请日期2019-03-01
专利号CN109802296A
专利状态申请中
申请号CN201910156460
公开(公告)号CN109802296A
IPC 分类号H01S5/00 | H01S5/02 | H01S5/32
专利代理人任林芳
代理机构太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92393
专题半导体激光器专利数据库
作者单位太原理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
董海亮,许并社,贾志刚,等. 边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法. CN109802296A[P]. 2019-05-24.
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