砷化镓激光巴条及其制备方法

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	砷化镓激光巴条及其制备方法
其他题名	砷化镓激光巴条及其制备方法
	董海亮; 米洪龙; 梁建; 许并社; 关永莉; 贾志刚; 王琳
	2018-02-23
专利权人	山西飞虹微纳米光电科技有限公司
公开日期	2018-02-23
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种砷化镓激光巴条及其制备方法，属于半导体激光器领域。包括：由下至上依次包括GaAs衬底、n‑GaAs缓冲层、n‑AlGaAs限制层、n‑AlGaAs波导层、有源区层、p‑AlGaAs波导层、p‑AlGaAs限制层、p‑GaAs顶层和p型高掺杂电极接触层的外延片；多个从p‑GaAs顶层刻蚀至GaAs衬底上表面的沟道；设于p‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于p型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的p电极层和GaAs衬底背面的n电极层；蒸镀于外延片、p电极层和n电极层左右两侧的厚度为的硅薄膜，硅薄膜为在温度为100～150℃条件下以/秒的生长速度蒸镀后，对硅薄膜循环退火3‑5次形成的，循环退火时低温为100～150℃高温为400～500℃；蒸镀于硅薄膜外侧的硅钝化膜和分别制备于硅钝化膜两侧的高反膜和增透膜。本发明提高了激光器的抗光学灾变能力。
其他摘要	本发明提供一种砷化镓激光巴条及其制备方法，属于半导体激光器领域。包括：由下至上依次包括GaAs衬底、n‑GaAs缓冲层、n‑AlGaAs限制层、n‑AlGaAs波导层、有源区层、p‑AlGaAs波导层、p‑AlGaAs限制层、p‑GaAs顶层和p型高掺杂电极接触层的外延片；多个从p‑GaAs顶层刻蚀至GaAs衬底上表面的沟道；设于p‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于p型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的p电极层和GaAs衬底背面的n电极层；蒸镀于外延片、p电极层和n电极层左右两侧的厚度为的硅薄膜，硅薄膜为在温度为100～150℃条件下以/秒的生长速度蒸镀后，对硅薄膜循环退火3‑5次形成的，循环退火时低温为100～150℃高温为400～500℃；蒸镀于硅薄膜外侧的硅钝化膜和分别制备于硅钝化膜两侧的高反膜和增透膜。本发明提高了激光器的抗光学灾变能力。
主权项	一种砷化镓激光巴条，其特征在于，所述砷化镓激光巴条包括：外延片，所述外延片由下至上依次包括GaAs衬底、n-GaAs缓冲层、n-AlGaAs限制层、n-AlGaAs波导层、有源区层、p-AlGaAs波导层、p-AlGaAs限制层、p-GaAs顶层和p型高掺杂电极接触层；多个从p-GaAs顶层刻蚀至GaAs衬底上表面的沟道，所述沟道的两侧及底面镀有SiO2钝化层；设置于p-GaAs顶层上面的SiO2介质膜；制备于p型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上面的p电极层和制备于GaAs衬底背面的n电极层；蒸镀于外延片、p电极层和n电极层左右两侧的厚度为的硅薄膜，所述厚度为的硅薄膜为在温度为100～150℃条件下，以的生长速度蒸镀后，对该厚度为的硅薄膜循环退火3-5次形成的，循环退火时低温为100～150℃、高温为400～500℃；蒸镀于厚度为的硅薄膜外侧的厚度为的硅钝化膜和分别制备于硅钝化膜两侧的高反膜和增透膜。
申请日期	2017-11-08
专利号	CN107732650A
专利状态	申请中
申请号	CN201711137142.2
公开（公告）号	CN107732650A
IPC 分类号	H01S5/02
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56648
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山西飞虹微纳米光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	董海亮,米洪龙,梁建,等. 砷化镓激光巴条及其制备方法. CN107732650A[P]. 2018-02-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107732650A.PDF（655KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文