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High Efficiency 1.9 kW Single Diode Laser Bar Epitaxially Stacked with a Tunnel Junction 期刊论文
IEEE Photonics Journal, 2021, 卷号: 13, 期号: 3
作者:  Zhao, Yuliang;  Wang, Zhenfu;  Demir, Abdullah;  Yang, Guowen;  Ma, Shufang;  Xu, Bingshe;  Sun, Cheng;  Li, Bo;  Qiu, Bocang
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semiconductor laser  diode laser bar  high power  power conversion efficiency  tunnel junction  
一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110165551A, 申请日期: 2019-08-23, 公开日期: 2019-08-23
发明人:  尚林;  许并社;  马淑芳;  单恒升;  郝晓东;  黄佳瑶;  邢茹萍
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一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107069431A, 申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
发明人:  许并社;  贾志刚;  马淑芳;  梁建;  董海亮
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半导体激光器用外延片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN204927806U, 申请日期: 2015-12-30, 公开日期: 2015-12-30
发明人:  马淑芳;  田海军;  吴小强;  梁建;  董海亮
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半导体激光器用外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105071223A, 申请日期: 2015-11-18, 公开日期: 2015-11-18
发明人:  马淑芳;  田海军;  吴小强;  梁建;  董海亮
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应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104795729A, 申请日期: 2015-07-22, 公开日期: 2015-07-22
发明人:  许并社;  董海亮;  马淑芳;  梁建;  贾虎生;  刘旭光
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应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN204376193U, 申请日期: 2015-06-03, 公开日期: 2015-06-03
发明人:  许并社;  董海亮;  马淑芳;  梁建;  贾虎生;  刘旭光
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无铝半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104242058A, 申请日期: 2014-12-24, 公开日期: 2014-12-24
发明人:  许并社;  董海亮;  梁建;  马淑芳;  余春艳
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一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103779786A, 申请日期: 2014-05-07, 公开日期: 2014-05-07
发明人:  马淑芳;  许并社;  李学敏;  韩蕊蕊;  田海军;  吴小强
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一种半导体激光器外延片及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103715605A, 申请日期: 2014-04-09, 公开日期: 2014-04-09
发明人:  许并社;  李学敏;  马淑芳;  田海军;  吴小强
Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2019/12/31