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一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法
其他题名一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法
尚林; 许并社; 马淑芳; 单恒升; 郝晓东; 黄佳瑶; 邢茹萍
2019-08-23
专利权人陕西科技大学
公开日期2019-08-23
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法,采用离子束刻蚀方法对垂直腔面发射激光器的DBR层中低折射率层进行介孔刻蚀,从而提高组成DBR两层折射率差,该方法操作简单,控制精准,能够保证获得介孔的尺度和精度,能够实现高反射率的同时,降低DBR的周期数。具体在纳米阵列器件制备过程中,采用了聚焦离子束切割设备对芯片进行了直接选区刻蚀,利用了聚焦离子束切割设备的优势,相对于干法刻蚀技术,减少了蒸镀保护层,能够避免干法刻蚀精度差所引起的损伤,而离子束刻蚀导致的辐照损伤也可以通过湿法腐蚀去除。本发明方法简单可控,能够保证获得介孔的尺度和精度,实现高反射率,低周期数的DBR。
其他摘要本发明公开了一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法,采用离子束刻蚀方法对垂直腔面发射激光器的DBR层中低折射率层进行介孔刻蚀,从而提高组成DBR两层折射率差,该方法操作简单,控制精准,能够保证获得介孔的尺度和精度,能够实现高反射率的同时,降低DBR的周期数。具体在纳米阵列器件制备过程中,采用了聚焦离子束切割设备对芯片进行了直接选区刻蚀,利用了聚焦离子束切割设备的优势,相对于干法刻蚀技术,减少了蒸镀保护层,能够避免干法刻蚀精度差所引起的损伤,而离子束刻蚀导致的辐照损伤也可以通过湿法腐蚀去除。本发明方法简单可控,能够保证获得介孔的尺度和精度,实现高反射率,低周期数的DBR。
主权项一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法,其特征在于,包括如下步骤: 步骤1:将垂直腔面发射激光器芯片放置到FIB中的样品台上,令待刻蚀面朝上; 步骤2:利用FIB中的扫描电子显微镜功能观察芯片,并将观察窗口调整到芯片中DBR区域,选取DBR区域中的低折射率层准备刻蚀; 步骤3:在需要刻蚀的低折射率层通过FIB的离子束绘制需要刻蚀的周期性的介孔状掩膜图形,以便根据绘制的图形通过离子束进行刻蚀; 步骤4:将离子束束流切换到大束流观察芯片,然后利用离子束对所绘制的图形区域刻蚀出具有介孔尺度的周期阵列; 步骤5:刻蚀完毕后,重复步骤3、步骤4再次对选取区域进行刻蚀,直至DBR的整个低折射率层形成介孔状,从而完成整个芯片的刻蚀; 步骤6:对完成刻蚀的芯片采用轻微湿法腐蚀去除离子束刻蚀对DBR造成的辐照损伤,完成制备。
申请日期2019-06-03
专利号CN110165551A
专利状态申请中
申请号CN201910477148.7
公开(公告)号CN110165551A
IPC 分类号H01S5/183 | H01J37/32
专利代理人俞晓明
代理机构西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55475
专题半导体激光器专利数据库
作者单位陕西科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
尚林,许并社,马淑芳,等. 一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法. CN110165551A[P]. 2019-08-23.
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