Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器; 半导体激光器; 半导体激光器; 半导体激光器; 半导体激光器; 半导体激光器; 半导体激光器; 半导体激光器 | |
| 其他题名 | 半导体激光器 ; 半导体激光器 ; 半导体激光器 ; 半导体激光器 ; 半导体激光器 ; 半导体激光器 ; 半导体激光器 ; 半导体激光器 |
| 董海亮; 米洪龙; 许并社; 梁建; 贾志刚; 关永莉; 王琳; 张乔 | |
| 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 | |
| 专利权人 | 山西飞虹激光科技有限公司 ; 山西飞虹激光科技有限公司 ; 山西飞虹激光科技有限公司 ; 山西飞虹激光科技有限公司 ; 山西飞虹激光科技有限公司 ; 山西飞虹激光科技有限公司 ; 山西飞虹激光科技有限公司 ; 山西飞虹激光科技有限公司 |
| 公开日期 | 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 |
| 授权国家 | 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 ; 实用新型 ; 实用新型 ; 实用新型 ; 实用新型 ; 实用新型 ; 实用新型 ; 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。; 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。; 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。; 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。; 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。; 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。; 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。; 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。 |
| 其他摘要 | 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。; 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。; 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。; 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。; 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。; 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。; 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。; 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。 |
| 授权日期 | 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 ; 2019-05-17 |
| 申请日期 | 2018-09-26 ; 2018-09-26 ; 2018-09-26 ; 2018-09-26 ; 2018-09-26 ; 2018-09-26 ; 2018-09-26 ; 2018-09-26 |
| 专利号 | CN208874056U ; CN208874056U ; CN208874056U ; CN208874056U ; CN208874056U ; CN208874056U ; CN208874056U ; CN208874056U |
| 专利状态 | 授权 ; 授权 ; 授权 ; 授权 ; 授权 ; 授权 ; 授权 ; 授权 |
| 申请号 | CN201821651552.9 ; CN201821651552.9 ; CN201821651552.9 ; CN201821651552.9 ; CN201821651552.9 ; CN201821651552.9 ; CN201821651552.9 ; CN201821651552.9 |
| 公开（公告）号 | CN208874056U ; CN208874056U ; CN208874056U ; CN208874056U ; CN208874056U ; CN208874056U ; CN208874056U ; CN208874056U |
| IPC 分类号 | H01S5/323 ; H01S5/323 ; H01S5/323 ; H01S5/323 ; H01S5/323 ; H01S5/323 ; H01S5/323 ; H01S5/323 |
| 专利代理人 | - ; - ; - ; - ; - ; - ; - ; - |
| 代理机构 | - ; - ; - ; - ; - ; - ; - ; - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38487 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山西飞虹激光科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董海亮,米洪龙,许并社,等. 半导体激光器, 半导体激光器, 半导体激光器, 半导体激光器, 半导体激光器, 半导体激光器, 半导体激光器, 半导体激光器. CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U[P]. 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17. |
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| CN208874056U.PDF（790KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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