一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法

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	一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法
其他题名	一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法
	许并社; 贾志刚; 马淑芳; 梁建; 董海亮
	2017-08-18
专利权人	太原理工大学
公开日期	2017-08-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法。制备流程，包括：外延片生长、台面刻蚀、深沟刻蚀、3D打印绝缘钝化层、3D打印P面电极、GaAs衬底减薄、抛光、3D打印N面电极、真空划片、钝化、3D打印前腔面增透膜及后腔面增反膜。其中，绝缘钝化层、P面电极、N面电极、前腔面增透膜及后腔面增反膜均由3D打印技术来制备完成。通过引入3D打印技术，本发明带来如下两方面的有益效果：(1)简化了制备过程：3D打印绝缘钝化层免去了套刻、腐蚀开孔的步骤；3D打印P面电极避免了金属电极的带胶剥离过程；(2)减少了杂质的引入：减少了套刻、刻蚀及带胶剥离的过程，所以减少了光刻胶、腐蚀液等化学试剂的引入，同时也降低了其它杂质引入的几率。
其他摘要	一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法。制备流程，包括：外延片生长、台面刻蚀、深沟刻蚀、3D打印绝缘钝化层、3D打印P面电极、GaAs衬底减薄、抛光、3D打印N面电极、真空划片、钝化、3D打印前腔面增透膜及后腔面增反膜。其中，绝缘钝化层、P面电极、N面电极、前腔面增透膜及后腔面增反膜均由3D打印技术来制备完成。通过引入3D打印技术，本发明带来如下两方面的有益效果：(1)简化了制备过程：3D打印绝缘钝化层免去了套刻、腐蚀开孔的步骤；3D打印P面电极避免了金属电极的带胶剥离过程；(2)减少了杂质的引入：减少了套刻、刻蚀及带胶剥离的过程，所以减少了光刻胶、腐蚀液等化学试剂的引入，同时也降低了其它杂质引入的几率。
申请日期	2017-06-05
专利号	CN107069431A
专利状态	申请中
申请号	CN201710414669.9
公开（公告）号	CN107069431A
IPC 分类号	H01S5/323
专利代理人	朱源
代理机构	太原科卫专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89989
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	太原理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	许并社,贾志刚,马淑芳,等. 一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法. CN107069431A[P]. 2017-08-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107069431A.PDF（667KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文