一种纳米线激光器外延结构及其制备方法

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	一种纳米线激光器外延结构及其制备方法
其他题名	一种纳米线激光器外延结构及其制备方法
	董海亮; 许并社; 贾志刚; 张爱琴; 屈凯; 李天保; 梁建
	2019-06-18
专利权人	太原理工大学
公开日期	2019-06-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明一种纳米线激光器外延结构及其制备方法，属于半导体材料技术领域；提供了一种高电光转换效率、可靠性高的大功率激光器件及其制备方法；该纳米线激光器外延结构，包括偏角衬底以及在偏角衬底依次生长的N型掺杂的缓冲层、N型掺杂的限制层、N型掺杂的波导层、量子线有源层、P型掺杂的波导层、P型掺杂的限制层、P型掺杂的顶层和P型高掺杂的电极接触层，偏角衬底所用材料为带有偏角的GaAs衬底，GaAs衬底中的{100}晶面偏向{011}晶面；本发明可广泛应用于半导体激光器领域。
其他摘要	本发明一种纳米线激光器外延结构及其制备方法，属于半导体材料技术领域；提供了一种高电光转换效率、可靠性高的大功率激光器件及其制备方法；该纳米线激光器外延结构，包括偏角衬底以及在偏角衬底依次生长的N型掺杂的缓冲层、N型掺杂的限制层、N型掺杂的波导层、量子线有源层、P型掺杂的波导层、P型掺杂的限制层、P型掺杂的顶层和P型高掺杂的电极接触层，偏角衬底所用材料为带有偏角的GaAs衬底，GaAs衬底中的{100}晶面偏向{011}晶面；本发明可广泛应用于半导体激光器领域。
主权项	一种纳米线激光器外延结构，其特征在于：包括偏角衬底（1）以及在偏角衬底（1）依次生长的N型掺杂的缓冲层（2）、N型掺杂的限制层（3）、N型掺杂的波导层（4）、量子线有源层（5）、P型掺杂的波导层（6）、P型掺杂的限制层（7）、P型掺杂的顶层（8）和P型高掺杂的电极接触层（9），偏角衬底（1）所用材料为带有偏角的GaAs衬底，GaAs衬底中的{100}晶面偏向{011}晶面。
申请日期	2019-03-18
专利号	CN109904723A
专利状态	申请中
申请号	CN201910203280.9
公开（公告）号	CN109904723A
IPC 分类号	H01S5/20 \| H01S5/227 \| H01S5/343
专利代理人	任林芳
代理机构	太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55319
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	太原理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	董海亮,许并社,贾志刚,等. 一种纳米线激光器外延结构及其制备方法. CN109904723A[P]. 2019-06-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109904723A.PDF（414KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文