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半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 实用新型, 实用新型, 实用新型, 实用新型, 实用新型, 实用新型, 实用新型, 专利号: CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, CN208874056U, 申请日期: 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 公开日期: 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17, 2019-05-17
发明人:  董海亮;  米洪龙;  许并社;  梁建;  贾志刚;  关永莉;  王琳;  张乔
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半导体激光巴条 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208272358U, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-12-21
发明人:  张乔;  关永莉;  米洪龙;  梁建;  王琳
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砷化镓激光器腔面以及砷化镓激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN207801155U, 申请日期: 2018-08-31, 公开日期: 2018-08-31
发明人:  米洪龙;  关永莉;  陈宇星;  王琳
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砷化镓激光巴条 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN207588214U, 申请日期: 2018-07-06, 公开日期: 2018-07-06
发明人:  董海亮;  米洪龙;  梁建;  许并社;  关永莉;  贾志刚;  王琳
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一种半导体激光bar条 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN207183793U, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2018-04-03
发明人:  关永莉;  米洪龙;  梁健;  李小兵;  王琳;  董海亮
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砷化镓激光巴条及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107732650A, 申请日期: 2018-02-23, 公开日期: 2018-02-23
发明人:  董海亮;  米洪龙;  梁建;  许并社;  关永莉;  贾志刚;  王琳
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砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107516818A, 申请日期: 2017-12-26, 公开日期: 2017-12-26
发明人:  赵永超;  米洪龙;  李小兵;  郭永瑞;  关永莉;  陈宇星;  王琳
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一种半导体激光bar条及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107482471A, 申请日期: 2017-12-15, 公开日期: 2017-12-15
发明人:  关永莉;  米洪龙;  梁健;  李小兵;  王琳;  董海亮
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半导体激光器腔面的钝化方法及半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109066287A, 公开日期: 2018-12-21
发明人:  董海亮;  米洪龙;  许并社;  梁建;  贾志刚;  关永莉;  王琳;  张乔
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