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氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101316026B, 申请日期: 2011-12-07, 公开日期: 2011-12-07
发明人:  山下文雄;  伊藤茂稔;  山本秀一郎;  川上俊之
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窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18
发明人:  津田 有三;  伊藤 茂稔;  石田 真也;  花岡 大介;  神川 剛;  近江 晋
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氮化物半导体发光器件和半导体发光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102144342A, 申请日期: 2011-08-03, 公开日期: 2011-08-03
发明人:  神川刚;  麦华路巴武吕;  伊藤茂稔
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氮化物半导体激光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102084560A, 申请日期: 2011-06-01, 公开日期: 2011-06-01
发明人:  太田征孝;  伊藤茂稔;  津田有三;  麦华路巴武吕;  高桥幸司
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半導体発光装置およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4678805B2, 申请日期: 2011-02-10, 公开日期: 2011-04-27
发明人:  大野 智輝;  伊藤 茂稔
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