氮化物半导体发光器件和半导体发光器件

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	氮化物半导体发光器件和半导体发光器件
其他题名	氮化物半导体发光器件和半导体发光器件
	神川刚; 麦华路巴武吕; 伊藤茂稔
	2011-08-03
专利权人	夏普株式会社
公开日期	2011-08-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	在一种氮化物半导体发光器件中，在n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上依次地堆叠氮化物半导体层(103，303，603，1203)、p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)和有源层(105，305，605，1205)。在一种氮化物半导体发光器件中，在衬底(1401，1501，1601，1701)上依次地堆叠第一底层(1402，1502，1602，1702)、第二底层(1404，1504，1604，1704)、有源层(1405，1505，1605，1705)和厚度不大于40nm的上层(1406，1506，1606，1706)，针对n型的第二电极(1408，1508，1608，1708)与上层(1406，1506，1606，1706)相接触的界面包含金属，所述金属的表面等离激元能够由从有源层(1405，1505，1605，1705)产生的光来激励。
其他摘要	在一种氮化物半导体发光器件中，在n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上依次地堆叠氮化物半导体层(103，303，603，1203)、p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)和有源层(105，305，605，1205)。在一种氮化物半导体发光器件中，在衬底(1401，1501，1601，1701)上依次地堆叠第一底层(1402，1502，1602，1702)、第二底层(1404，1504，1604，1704)、有源层(1405，1505，1605，1705)和厚度不大于40nm的上层(1406，1506，1606，1706)，针对n型的第二电极(1408，1508，1608，1708)与上层(1406，1506，1606，1706)相接触的界面包含金属，所述金属的表面等离激元能够由从有源层(1405，1505，1605，1705)产生的光来激励。
申请日期	2009-09-03
专利号	CN102144342A
专利状态	授权
申请号	CN200980134707.9
公开（公告）号	CN102144342A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/343
专利代理人	王波波
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90227
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	夏普株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	神川刚,麦华路巴武吕,伊藤茂稔. 氮化物半导体发光器件和半导体发光器件. CN102144342A[P]. 2011-08-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102144342A.PDF（2533KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文