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半導体レーザ装置及び熱アシスト磁気記録ヘッド 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2014229337A, 申请日期: 2014-12-08, 公开日期: 2014-12-08
发明人:  川上 俊之;  石田 真也
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窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18
发明人:  津田 有三;  伊藤 茂稔;  石田 真也;  花岡 大介;  神川 剛;  近江 晋
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キャップ部材およびそれを用いた半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009176764A, 申请日期: 2009-08-06, 公开日期: 2009-08-06
发明人:  石田 真也;  花岡 大介
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帽构件以及采用该帽构件的半导体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101447641A, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 2009-06-03
发明人:  石田真也;  花冈大介;  堀口武
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氮化物半导体发光器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100454694C, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21
发明人:  花冈大介;  石田真也;  高谷邦启;  伊藤茂稔
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面状発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008258171A, 申请日期: 2008-10-23, 公开日期: 2008-10-23
发明人:  森岡 達也;  石田 真也;  花岡 大介;  種谷 元隆;  藤田 茂夫;  藤田 静雄;  川上 養一
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制造激光器件的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1877931A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13
发明人:  石田真也;  小河淳;  花冈大介
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氮化物半导体发光器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1816952A, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2006-08-09
发明人:  山本秀一郎;  小河淳;  石田真也;  神川刚
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窒化物半導体レーザ光源の製造方法および窒化物半導体レーザ光源の製造装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006128629A, 申请日期: 2006-05-18, 公开日期: 2006-05-18
发明人:  谷 善彦;  小河 淳;  石田 真也
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氮化物半导体激光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1702927A, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2005-11-30
发明人:  津田有三;  花冈大介;  石田真也
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