Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| 大野 智輝; 伊藤 茂稔 | |
| 2011-02-10 | |
| 专利权人 | シャープ株式会社 |
| 公开日期 | 2011-04-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 可飽和吸収層内の光吸収によって生成されたキャリアの寿命を短縮する。 【解決手段】 n型GaN基板11上に、光の吸収量が飽和する特性を備えているInGaNから成る可飽和吸収層19が設けられており、そのInGaNから成る可飽和吸収層19にC(炭素)が添加(ドーピング)されている。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：缩短可饱和吸收层内光吸收产生的载流子的寿命。解决方案：在n型GaN衬底11上提供由InGaN制成并具有指示光吸收量饱和的特性的可饱和吸收层19，并且将（碳）C掺杂到由InGaN制成的可饱和吸收层19中。 |
| 申请日期 | 2001-02-14 |
| 专利号 | JP4678805B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2001037758 |
| 公开（公告）号 | JP4678805B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/065 | H01S5/22 | H01S5/343 | H01S5/323 | G11B7/125 |
| 专利代理人 | 山本 秀策 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33721 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野 智輝,伊藤 茂稔. 半導体発光装置およびその製造方法. JP4678805B2[P]. 2011-02-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP4678805B2.PDF（89KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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