Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物半导体激光元件 | |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光元件 |
| 太田征孝; 伊藤茂稔; 津田有三; 麦华路巴武吕; 高桥幸司 | |
| 2011-06-01 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2011-06-01 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体激光元件，其特征为包含：基板(100、200、300)；在基板(100、200、300)上形成的n型氮化物半导体层(101、201、301)；在n型氮化物半导体层(101、201、301)上形成的氮化物半导体活性层(104、204、304)、在氮化物半导体活性层(104、204、304)上形成的p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)；以及在p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)上形成的上部透明导电膜(109、209、309)，氮化物半导体活性层(104、204、304)具有包含铟的氮化物半导体阱层(131)和氮化物半导体障壁层(132)。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体激光元件，其特征为包含：基板(100、200、300)；在基板(100、200、300)上形成的n型氮化物半导体层(101、201、301)；在n型氮化物半导体层(101、201、301)上形成的氮化物半导体活性层(104、204、304)、在氮化物半导体活性层(104、204、304)上形成的p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)；以及在p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)上形成的上部透明导电膜(109、209、309)，氮化物半导体活性层(104、204、304)具有包含铟的氮化物半导体阱层(131)和氮化物半导体障壁层(132)。 |
| 申请日期 | 2009-07-07 |
| 专利号 | CN102084560A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200980126170.1 |
| 公开（公告）号 | CN102084560A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/042 |
| 专利代理人 | 张远 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75265 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田征孝,伊藤茂稔,津田有三,等. 氮化物半导体激光元件. CN102084560A[P]. 2011-06-01. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102084560A.PDF（1902KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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