窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置

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	窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置
其他题名	窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置
	津田有三; 伊藤茂稔; 石田真也; 花岡大介; 神川剛; 近江晋
	2011-11-04
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	2012-01-18
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】改善された低い閾値電流密度を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する【解決手段】窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体基板の一主面上に形成された溝と丘を含む加工基板101と、この加工基板の溝と丘を覆う窒化物半導体下地層102と、この窒化物半導体下地層上でn型層103〜105とp型層107〜110との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層を含む発光層106を含む窒化物半導体多層発光構造とを含み、丘の幅方向の中央から1μm以上離れかつその丘の幅内の領域の上方に多層発光構造の電流狭窄部が形成されている。
其他摘要	要解决的问题：提供具有低阈值电流密度的改进的氮化物半导体激光器元件。解决方案：氮化物半导体激光器元件包括处理衬底101，其具有形成在氮化物半导体衬底的一个主表面上的凹槽和山丘，覆盖凹槽和衬底的山丘的氮化物半导体衬底层，以及氮化物半导体多层光 - 具有量子阱层或发光层106的发光结构，具有量子阱层和阻挡层，其与n型层103至105之间以及p型层107至110之间的阱层接触。基底层。多层发光结构的电流收缩部分在激光元件中形成在区域上方，在山丘的宽度内，在宽度方向上与山丘的中心分开1μm或更多。
申请日期	2001-05-11
专利号	JP4854133B2
专利状态	授权
申请号	JP2001141188
公开（公告）号	JP4854133B2
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/323 \| H01L21/205 \| G11B7/125
专利代理人	深見久郎
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33731
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	津田有三,伊藤茂稔,石田真也,等. 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置. JP4854133B2[P]. 2011-11-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP4854133B2.PDF（120KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文