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半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101276995B, 申请日期: 2014-08-27, 公开日期: 2014-08-27
发明人:  近江晋;  岸本克彦
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窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18
发明人:  津田 有三;  伊藤 茂稔;  石田 真也;  花岡 大介;  神川 剛;  近江 晋
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窒化物半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4408802B2, 申请日期: 2009-11-20, 公开日期: 2010-02-03
发明人:  毛利 裕一;  近江 晋
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GaN系結晶膜の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4390090B2, 申请日期: 2009-10-16, 公开日期: 2009-12-24
发明人:  伊藤 茂稔;  近江 晋
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氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1979984A, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2007-06-13
发明人:  近江晋;  高谷邦启;  山下文雄;  种谷元隆
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GaN系レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006352159A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
发明人:  近江 晋;  伊藤 茂稔;  大野 智輝;  川上 俊之
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窒化物系化合物半導体レーザ素子及びレーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999087850A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
发明人:  近江 晋;  奥村 敏之;  猪口 和彦
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