Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 | |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 |
| 山下文雄; 伊藤茂稔; 山本秀一郎; 川上俊之 | |
| 2011-12-07 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2011-12-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1-100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。 |
| 其他摘要 | 在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1-100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。 |
| 申请日期 | 2008-05-29 |
| 专利号 | CN101316026B |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200810099970 |
| 公开（公告）号 | CN101316026B |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/30 | H01S5/10 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 陈瑞丰 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93075 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山下文雄,伊藤茂稔,山本秀一郎,等. 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法. CN101316026B[P]. 2011-12-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101316026B.PDF（910KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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