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窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18
发明人:  津田 有三;  伊藤 茂稔;  石田 真也;  花岡 大介;  神川 剛;  近江 晋
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キャップ部材およびそれを用いた半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009176764A, 申请日期: 2009-08-06, 公开日期: 2009-08-06
发明人:  石田 真也;  花岡 大介
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面状発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008258171A, 申请日期: 2008-10-23, 公开日期: 2008-10-23
发明人:  森岡 達也;  石田 真也;  花岡 大介;  種谷 元隆;  藤田 茂夫;  藤田 静雄;  川上 養一
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窒化物系III-V族化合物半導体装置およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3700872B2, 申请日期: 2005-07-22, 公开日期: 2005-09-28
发明人:  花岡 大介;  古川 勝紀
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999017272A, 申请日期: 1999-01-22, 公开日期: 1999-01-22
发明人:  幡 俊雄;  菅原 聰;  花岡 大介
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電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998335749A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
发明人:  幡 俊雄;  菅原 聰;  花岡 大介
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