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氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101316026B, 申请日期: 2011-12-07, 公开日期: 2011-12-07
发明人:  山下文雄;  伊藤茂稔;  山本秀一郎;  川上俊之
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氮化物半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1983751B, 申请日期: 2010-06-16, 公开日期: 2010-06-16
发明人:  川上俊之;  山崎幸生;  山本秀一郎
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窒化物半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007173581A, 申请日期: 2007-07-05, 公开日期: 2007-07-05
发明人:  山本 秀一郎;  神川 剛;  川口 佳伸
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氮化物半导体发光器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1816952A, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2006-08-09
发明人:  山本秀一郎;  小河淳;  石田真也;  神川刚
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