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半导体激光器元件、其制造方法以及发光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110061419A, 申请日期: 2019-07-26, 公开日期: 2019-07-26
发明人:  川上俊之;  太田将之;  川村亮太
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熱アシスト磁気記録ヘッド、半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JPWO2015056489A1, 申请日期: 2017-03-09, 公开日期: 2017-03-09
发明人:  川上 俊之;  有吉 章
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/12/31
半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104854766A, 申请日期: 2015-08-19, 公开日期: 2015-08-19
发明人:  谷健太郎;  川上俊之;  有吉章
Adobe PDF(1395Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置及び熱アシスト磁気記録ヘッド 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2014229337A, 申请日期: 2014-12-08, 公开日期: 2014-12-08
发明人:  川上 俊之;  石田 真也
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半導体レーザ素子、窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザデバイス 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2014022379A, 申请日期: 2014-02-03, 公开日期: 2014-02-03
发明人:  川上 俊之;  神川 剛
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氮化物半导体激光器及晶片 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101938085B, 申请日期: 2013-01-16, 公开日期: 2013-01-16
发明人:  谷健太郎;  谷善彦;  川上俊之
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氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101471536B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06
发明人:  川上俊之;  神川刚;  谷健太郎
Adobe PDF(1897Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2019/12/26
氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101471536B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06
发明人:  川上俊之;  神川刚;  谷健太郎
Adobe PDF(1897Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/12/26
氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102299481A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28
发明人:  谷健太郎;  川上俊之;  谷善彦
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氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101316026B, 申请日期: 2011-12-07, 公开日期: 2011-12-07
发明人:  山下文雄;  伊藤茂稔;  山本秀一郎;  川上俊之
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