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热原子层沉积钛掺杂氧化镓薄膜的光学性能 期刊论文
光子学报, 2023, 卷号: 52, 期号: 6
作者:  李存钰;  朱香平;  赵卫;  李继超;  胡景鹏
Adobe PDF(1936Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：74/1  |  提交时间：2023/11/06
氧化镓薄膜  Ti掺杂Ga2O3薄膜  热原子层沉积  折射率  光学带隙  
原子层沉积制备氧化镓薄膜及其光学性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2023
作者:  李存钰
Adobe PDF(9189Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2023/07/27
Ga2O3 薄膜  原子层沉积  Ti 掺杂Ga2O3 薄膜  折射率  光学带隙  
半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110199398A, 申请日期: 2019-09-03, 公开日期: 2019-09-03
发明人:  成演准;  金珉成
Adobe PDF(973Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2020/01/13
半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109962406A, 申请日期: 2019-07-02, 公开日期: 2019-07-02
发明人:  张韵;  倪茹雪
Adobe PDF(1155Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2019/12/30
一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109830429A, 申请日期: 2019-05-31, 公开日期: 2019-05-31
发明人:  陆珊珊;  刘宇伦;  莫观孔;  莫组康;  沈晓明;  何欢;  符跃春
Adobe PDF(715Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：139/0  |  提交时间：2019/12/30
发光器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104518065B, 申请日期: 2019-05-14, 公开日期: 2019-05-14
发明人:  成演准;  丁圣勋
Adobe PDF(1781Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2020/01/13
包含基于氮氧化物的荧光体的发光器件封装和包含其的照明装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106463586B, 申请日期: 2019-05-03, 公开日期: 2019-05-03
发明人:  文智煜;  闵凤杰;  金亨真
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发光器件封装件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104465940B, 申请日期: 2019-04-19, 公开日期: 2019-04-19
发明人:  金伯俊;  小平洋;  金炳穆;  金夏罹;  大关聪司;  反田祐一郎
Adobe PDF(1722Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：146/0  |  提交时间：2020/01/13
发光器件封装 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105390586B, 申请日期: 2019-03-15, 公开日期: 2019-03-15
发明人:  吴成株;  文咭斗;  朴奎炯
Adobe PDF(2242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2020/01/13
半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109417112A, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
发明人:  崔洛俊;  金炳祚;  吴炫智;  洪埩熀
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