半导体激光器及其制备方法

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	半导体激光器及其制备方法
其他题名	半导体激光器及其制备方法
	张韵; 倪茹雪
	2019-07-02
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-07-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本公开提供了一种半导体激光器及其制备方法，所述半导体激光器由下至上依次包括：沟槽型图形化衬底、n型层、有源层和p型层；其中，所述沟槽型图形化衬底上具有多个相互平行的沟槽，所述沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行。本公开半导体激光器及其制备方法，通过长条状沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行，即使光子谐振方向与外延材料中低穿透位错区域平行，在振荡过程中，此区域的非辐射复合较低、增益较大，可以率先实现激射，降低激射阈值，从而有效提高了半导体激光器的光学效率和性能。
其他摘要	本公开提供了一种半导体激光器及其制备方法，所述半导体激光器由下至上依次包括：沟槽型图形化衬底、n型层、有源层和p型层；其中，所述沟槽型图形化衬底上具有多个相互平行的沟槽，所述沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行。本公开半导体激光器及其制备方法，通过长条状沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行，即使光子谐振方向与外延材料中低穿透位错区域平行，在振荡过程中，此区域的非辐射复合较低、增益较大，可以率先实现激射，降低激射阈值，从而有效提高了半导体激光器的光学效率和性能。
主权项	一种半导体激光器，由下至上依次包括：沟槽型图形化衬底、n型层、有源层和p型层；其中，所述沟槽型图形化衬底上具有多个相互平行的沟槽，所述沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行。
申请日期	2017-12-14
专利号	CN109962406A
专利状态	申请中
申请号	CN201711346623.4
公开（公告）号	CN109962406A
IPC 分类号	H01S5/32 \| H01S5/323 \| H01S5/34 \| H01S5/343
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55349
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张韵,倪茹雪. 半导体激光器及其制备方法. CN109962406A[P]. 2019-07-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109962406A.PDF（1155KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文