一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法

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	一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法
其他题名	一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法
	陆珊珊; 刘宇伦; 莫观孔; 莫组康; 沈晓明; 何欢; 符跃春
	2019-05-31
专利权人	广西大学
公开日期	2019-05-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种双光路脉冲激光沉积设备及其应用在Si(100)基片上沉积InGaN薄膜的方法，所述设备能够将激光分为双路对靶材进行照射，具体方法为：将清洁好的Si(100)衬底放入基片台上加热至650℃～750℃并保温50～70min；依次沉积TiN、AlN、GaN、InGaN层，采用的激光能量分别为150‑250mJ、50‑150mJ、200‑300mJ、100‑200mJ，沉积时间分别为10～30min、30～50min、50～70min、50～70min；所述InGaN层采用双光路工艺进行。本发明能够提高薄膜晶体质量，同时还可大幅度提高器件如半导体激光器、发光二极管及太阳能电池的效率。
其他摘要	本发明涉及一种双光路脉冲激光沉积设备及其应用在Si(100)基片上沉积InGaN薄膜的方法，所述设备能够将激光分为双路对靶材进行照射，具体方法为：将清洁好的Si(100)衬底放入基片台上加热至650℃～750℃并保温50～70min；依次沉积TiN、AlN、GaN、InGaN层，采用的激光能量分别为150‑250mJ、50‑150mJ、200‑300mJ、100‑200mJ，沉积时间分别为10～30min、30～50min、50～70min、50～70min；所述InGaN层采用双光路工艺进行。本发明能够提高薄膜晶体质量，同时还可大幅度提高器件如半导体激光器、发光二极管及太阳能电池的效率。
主权项	一种双光路脉冲激光沉积设备，包括生长室腔体，其特征在于，在生长室腔体下方的中心区域设有基座，在基座上设有四个均匀布置的用于放置靶材的转盘，所述基座及转盘分别由驱动机构带动旋转，使得靶材能随转盘自转；在生长室腔体的下侧壁或底壁上还设有分别与机械泵和分子泵连接的阀门，以便机械泵和分子泵对生长室腔体抽真空；在生长室腔体的中下方位置设有辅助气体管道，用于在镀膜过程中及时补充O2和N2；在生长室腔体的上壁两侧各设一个石英窗口，在生长室腔体外对应石英窗口的位置设有聚焦镜和反射镜，固体激光器提供的高能激光依次经激光分束器、反射镜、聚焦镜及石英窗口后照射入生长室腔体内部的靶材上，靶材产生的等离子体羽辉沉积在放置于旋转基片台的衬底上。
申请日期	2019-01-23
专利号	CN109830429A
专利状态	申请中
申请号	CN201910064979.1
公开（公告）号	CN109830429A
IPC 分类号	H01L21/02 \| C23C14/28 \| C23C14/06 \| C23C14/02 \| C23C14/58
专利代理人	韦锦捷
代理机构	广西南宁公平知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55262
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	广西大学
推荐引用方式 GB/T 7714	陆珊珊,刘宇伦,莫观孔,等. 一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法. CN109830429A[P]. 2019-05-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109830429A.PDF（715KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文