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一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109830429A, 申请日期: 2019-05-31, 公开日期: 2019-05-31
发明人:  陆珊珊;  刘宇伦;  莫观孔;  莫组康;  沈晓明;  何欢;  符跃春
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