半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装

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	半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装
其他题名	半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装
	崔洛俊; 金炳祚; 吴炫智; 洪埩熀
	2019-03-01
专利权人	LG 伊诺特有限公司
公开日期	2019-03-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	实施例涉及半导体器件、半导体器件封装和用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及布置在第一导电半导体层和有源层之间或者布置在第一导电半导体层内部的中间层，其中第一导电半导体层、中间层、有源层、第二导电半导体层包括铝，并且中间层包括具有比第一导电半导体层的铝组分低的铝组分的第一中间层。
其他摘要	实施例涉及半导体器件、半导体器件封装和用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及布置在第一导电半导体层和有源层之间或者布置在第一导电半导体层内部的中间层，其中第一导电半导体层、中间层、有源层、第二导电半导体层包括铝，并且中间层包括具有比第一导电半导体层的铝组分低的铝组分的第一中间层。
主权项	一种半导体器件，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、有源层和中间层，所述有源层被布置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间，所述中间层被布置在所述第一导电半导体层和所述有源层之间或者被布置在所述第一导电半导体层内部，其中，所述第一导电半导体层、所述中间层、所述有源层和所述第二导电半导体层包括铝；以及所述中间层包括第一中间层，所述第一中间层具有比所述第一导电半导体层的铝组分低的铝组分。
申请日期	2017-06-23
专利号	CN109417112A
专利状态	申请中
申请号	CN201780039190.X
公开（公告）号	CN109417112A
IPC 分类号	H01L33/02 \| H01L33/22 \| H01L33/36 \| H01L33/48 \| H01L33/14 \| H01L33/62
专利代理人	达小丽 \| 夏凯
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56113
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	LG 伊诺特有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	崔洛俊,金炳祚,吴炫智,等. 半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装. CN109417112A[P]. 2019-03-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109417112A.PDF（3592KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文